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分立半导体晶体管

氮化镓极高的电子迁移率和低温系数使得

低RDS（on），而其横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的QG

零QRR。较终的结果是，这种设备可以处理开关频率非常高的任务，

与状态损失占主导地位的情况一样，低准时率也是有益的。

参数值单位

VDS漏极至源极电压（连续）80 V

我

D

连续（TA=25°C）90

A.

脉冲（25°C，t脉冲=300μs）390

VGS

门到源电压6

五、

门到源电压-4

TJ工作温度-40至150

°C

TSTG储存温度-40至150

参数类型单位

RθJC热阻，连接至外壳0.4

R°C/WθJB热阻，连接至电路板1.1

RθJA热阻，结对环境（注1）42